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SUP/SUB75N03-04
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
250
V GS = 10, 9, 8, 7, 6, 5 V
200
200
4V
150
150
100
100
50
3V
50
T C = 125 °C
25 °C
- 55 °C
0
0
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
175
150
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
T C = - 55 °C
25 °C
0.008
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
125
100
125 °C
0.006
V GS = 4.5 V
0.004
75
V GS = 10 V
50
0.002
25
0
0.000
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
120
14000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transconductance
20
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
12000
C iss
16
V DS = 30 V
I D = 75 A
10000
8000
6000
4000
12
8
2000
0
C rss
C oss
4
0
0
6
12
18
24
30
0
100
200
300
400
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
Document Number: 70745
S-62484-Rev. F, 04-Dec-06
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
www.vishay.com
3
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